Domov
Produkty
Výrobcovia
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a príspevky
Dopyt/cena
Slovakia
Prihlásiť sa
Selektívny jazyk
Aktuálny jazyk vašej voľby:
Slovakia
Prepínač:
Angličtina
Európa
Veľká Británia
DR Kongo
Argentína
Turecko
Rumunsko
Litva
Nórsko
Rakúsko
Angola
Slovensko
ltaly
Fínsko
Bielorusko
Bulharsko
Dánsko
Estónsko
Poľsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Gréčtina
Chorvátsko
Izrael
Čierna Hora
Ruština
Belgicko
Švédsko
Srbsko
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarčina
Moldavsko
Nemecko
Holandsko
Írsko
Ázia / Tichomorie
Čína
Vietnam
Indonézia
Thajsko
Laos
Filipínčina
Malajzia
Kórea
Japonsko
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudská Arábia
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmarsko
Afrika, India a Blízky východ
Spojené arabské emiráty
Tadžikistan
Madagaskar
India
Irán
Francúzsko
Južná Afrika
Egypt
Keňa
Tanzánia
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Južná Amerika / Oceánia
Nový Zéland
Portugalsko
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Čile
Venezuela
Ekvádor
Bolívia
Uruguaj
Španielsko
Paraguaj
Austrália
Severná Amerika
Spojené štáty americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikácie
DiGi Úvod
Prečo DiGi
Politika
Kvalitná politika
Podmienky používania
Vyhovuje požiadavkám RoHS
Proces vrátenia
Zdroje
Kategórie produktov
Výrobcovia
Blogy a príspevky
Služby
Záruka kvality
Spôsob platby
Globálna preprava
Cenník dopravy
Často kladené otázky
Výrobca Číslo produktu:
TSM60NB041PW C1G
Product Overview
Výrobca:
Taiwan Semiconductor Corporation
Číslo dielu:
TSM60NB041PW C1G-DG
Popis:
MOSFET N-CHANNEL 600V 78A TO247
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 78A (Tc) 446W (Tc) Through Hole TO-247
Inventár:
2485 Ks Nové Originálne Na Sklade
12898670
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
*
Spoločnosť
*
Kontaktné meno
*
Telefón
*
E-mail
Doručacia adresa
Správa
(
*
) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TSM60NB041PW C1G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Taiwan Semiconductor
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
78A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
41mOhm @ 21.7A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
139 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
6120 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
446W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
TSM60
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
TSM60NB041PW C1G
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
25
Iné mená
TSM60NB041PW C1G-DG
TSM60NB041PWC1G
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STW70N60M2
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STW70N60M2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
6.43
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
TSM60NB041PW
VÝROBCA
Taiwan Semiconductor Corporation
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
TSM60NB041PW-DG
CENA ZA JEDNOTKU
16.38
Typ substitútu
Parametric Equivalent
ČÍSLO DIELU
STWA70N60DM2
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STWA70N60DM2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
7.10
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
TK62N60X,S1F
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
102
ČÍSLO DIELU
TK62N60X,S1F-DG
CENA ZA JEDNOTKU
5.71
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TSM4ND65CI
MOSFET N-CH 650V 4A ITO220
DMN6040SK3Q-13
MOSFET BVDSS: 41V-60V TO252 T&R
TSM052N06PQ56 RLG
MOSFET N-CH 60V 100A 8PDFN
TSM7N90CI C0G
MOSFET N-CH 900V 7A ITO220AB